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時(shí)間：2020年04月17日
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臺(tái)積電首次公布3nm工藝詳情：FinFET技術(shù) 2021年試產(chǎn)
盡管2020年全球半導(dǎo)體行業(yè)會(huì)因?yàn)橐咔閷?dǎo)致下滑，但臺(tái)積電的業(yè)績(jī)不降反升，掌握著7nm、5nm先進(jìn)工藝的他們更受客戶(hù)青睞。今天的財(cái)報(bào)會(huì)上，臺(tái)積電也首次正式宣布3nm工藝詳情，預(yù)定在2022年下半年量產(chǎn)。
臺(tái)積電原本計(jì)劃4月29日在美國(guó)舉行技術(shù)論壇，正式公布3nm工藝詳情，不過(guò)這個(gè)技術(shù)會(huì)議已經(jīng)延期到8月份，今天的Q1財(cái)報(bào)會(huì)議上才首次對(duì)外公布3nm工藝的技術(shù)信息及進(jìn)度。
臺(tái)積電表示，3nm工藝研發(fā)符合預(yù)期，預(yù)計(jì)在2021年進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段，2022年下半年量產(chǎn)。
在技術(shù)路線上，臺(tái)積電評(píng)估多種選擇后認(rèn)為現(xiàn)行的FinFET工藝在成本及能效上更佳，所以3nm首先發(fā)布依然會(huì)是FinFET晶體管技術(shù)。
在3nm節(jié)點(diǎn)上，臺(tái)積電最大的對(duì)手是三星，后者押注3nm節(jié)點(diǎn)翻身，所以進(jìn)度及技術(shù)選擇都很激進(jìn)，將會(huì)淘汰FinFET晶體管直接使用GAA環(huán)繞柵極晶體管。
根據(jù)三星的信息，相較于7nm FinFET工藝，3nm工藝可以減少50%的能耗，增加30%的性能。
至于量產(chǎn)時(shí)間，三星之前計(jì)劃在2021年量產(chǎn)，不過(guò)因?yàn)橐咔橛绊?，現(xiàn)在也推遲到了2022年，但沒(méi)有明確是上半年還是下半年，他們與臺(tái)積電誰(shuí)能首先發(fā)布3nm工藝還沒(méi)定論。
隨著3nm工藝的臨近，人類(lèi)正在逼近硅基半導(dǎo)體的極限，此前臺(tái)積電有信心將工藝推進(jìn)到2nm甚至1nm，但還是紙面上的，相關(guān)技術(shù)并沒(méi)有走出實(shí)驗(yàn)室。
如果不能解決一系列難題，3nm工藝很有可能是未來(lái)CPU等芯片的極限了。
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